半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)的對策建議

半導(dǎo)體激光產(chǎn)業(yè)是關(guān)系國計民生的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)之一，半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展對我國在現(xiàn)代信息化社會的競爭中搶占先機具有重要意義。充分發(fā)揮我國在市場方面的優(yōu)勢開發(fā)新應(yīng)用，堅持自主的原則發(fā)展新技術(shù)，鼓勵新概念和學(xué)科交叉發(fā)展新理論，實現(xiàn)新體制的半導(dǎo)體激光器發(fā)展。新體制半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)的競爭領(lǐng)域在國際范圍內(nèi)仍有廣闊的疆土。結(jié)合我國的政策優(yōu)勢、科技發(fā)展水平和人才儲備，在未來的 10~20 年我們有希望在新體制半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域內(nèi)培育出可以與世界前列激光產(chǎn)業(yè)巨頭相抗衡的優(yōu)秀企業(yè)，為搶占戰(zhàn)略制高點，為半導(dǎo)體激光產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展提供源動力。

首先，鑒于當(dāng)前半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的困難和挑戰(zhàn)，我國在近期的首要任務(wù)是有選擇、有針對性地扶植適用于特種應(yīng)用的半導(dǎo)體激光器的研制和生產(chǎn)，如針對高功率、窄線寬、特殊波長等應(yīng)用，進行相關(guān)科研和技術(shù)攻關(guān)及企業(yè)技術(shù)轉(zhuǎn)移。充分評估國產(chǎn)器件性能，正視差距，努力提升，保證國家裝備安全。

其次，在民用領(lǐng)域，推動成本敏感的半導(dǎo)體激光器國產(chǎn)化替代，充分利用市場導(dǎo)向和企業(yè)自身動力，輔以地方政策引導(dǎo)扶植，注重相關(guān)產(chǎn)品的差異化，避免一窩蜂式發(fā)展是當(dāng)前的重要目標。例如，相比電信應(yīng)用，數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中光器件和模塊生命周期短、維護較方便，進入門檻相對較低；在激光加工系統(tǒng)中，半導(dǎo)體激光器成本占比高，中低功率材料加工企業(yè)具有較高的替代意愿，也是國產(chǎn)器件的突破口。在這一過程中，還可以進一步培育企業(yè)，培養(yǎng)人才。

較后，挖掘已有技術(shù)的應(yīng)用潛力。對于成熟的或者將近成熟的一些半導(dǎo)體激光器，如新體制的垂直外腔面發(fā)射激光器等，從實際應(yīng)用出發(fā)，進行開發(fā)或二次開發(fā)，推進技術(shù)的橫向拓展和領(lǐng)域交叉，針對新應(yīng)用進行有針對性的技術(shù)提升，利用與系統(tǒng)和應(yīng)用廠商的緊密聯(lián)系占據(jù)“先發(fā)優(yōu)勢”。

在中長期，主要目標是實現(xiàn)前端半導(dǎo)體激光器的國產(chǎn)化和自主發(fā)展，需要國家層面更多的參與甚至主導(dǎo)，必要時可以采用政策扶植，資金和專項經(jīng)費傾斜等手段。

（1）充分利用我國在應(yīng)用端的巨大優(yōu)勢，鼓勵I(lǐng)DM 模式公司或者公司群的建立。可以采用引導(dǎo)成立多個具有穩(wěn)定合作關(guān)系的縱向企業(yè)集團的方式，實現(xiàn)器件開發(fā)和應(yīng)用的反饋閉環(huán)，促進前端主要材料和器件的成熟。

（2）下大力氣鼓勵和引導(dǎo)國產(chǎn)器件的應(yīng)用。采用國家投資或補貼的方式，建立完整的國產(chǎn)化替代示范平臺，在實際應(yīng)用條件下實現(xiàn)國產(chǎn)化主要器件評估；在此基礎(chǔ)上以政策傾斜、財政補貼等方式鼓勵國產(chǎn)器件應(yīng)用。

（3）建立具有芯片代工廠功能的全自主的、完整的新技術(shù)開發(fā)通用平臺，以對技術(shù)水平要求高的新體制微納激光器為牽引，同時滿足無生產(chǎn)線企業(yè)的激光器制備需求，提升綜合能力。尤其要彌補短板，掌握主要技術(shù)和關(guān)鍵工藝，避免“卡脖子”問題，為新型半導(dǎo)體激光器的發(fā)展提供技術(shù)保障。

（4）鼓勵新概念、新器件，提前布局，掌握先發(fā)優(yōu)勢。開展包括拓撲絕緣體激光器等新體制半導(dǎo)體激光器及其相應(yīng)工藝的研究；鼓勵跨行業(yè)和前后端交流，在適當(dāng)階段由新概念開發(fā)轉(zhuǎn)入針對具體應(yīng)用的技術(shù)開發(fā)。

文章來源：中國工程科學(xué)